硅磨削 加工設(shè)備

硅磨削 加工設(shè)備

硅谷：淺談鈦合金磨削加工技術(shù)-原創(chuàng)策劃。硅谷網(wǎng)12月9日文 據(jù)《硅谷》2012年第18期刊文稱，主要是通過(guò)對(duì)鈦合金材料（TC11）性能進(jìn)行分析后，在加工中如何正確選擇砂輪磨料、粒度、硬度、結(jié)合劑等參數(shù)，調(diào)整磨削力、磨削參數(shù)保證零件表面加工后不燒傷并提高表面的完整性。 0引言 現(xiàn)階段，航空發(fā)動(dòng)機(jī)零件多數(shù)采用鈦合金材料，根據(jù)裝配需求，精加工表面尺寸精度和表面粗糙度都需要磨削加工才能保證零件表面的質(zhì)量。由于鈦合金材料本身物理機(jī)械性能，磨削加工時(shí)易出現(xiàn)表面燒傷、表面完整性降低，目前急需解決對(duì)鈦合金材料磨削的問(wèn)題，所以選擇合適的砂輪是非常必要的。 1鈦合金材料性能分析 鈦合金的種類大致分為三類， 鈦合金、 鈦合金、 + 鈦合金。具有比重小，比強(qiáng)高，耐高溫，耐腐蝕、超記憶，無(wú)磁性，彈性模量低，生物相容性號(hào)，這一系列優(yōu)良的使其在廣泛的領(lǐng)域得。

單晶硅片超精密磨削技術(shù)與設(shè)備 。摘要:結(jié)合單晶硅片的發(fā)展, 對(duì) 回顧了單晶硅片超精密磨削技術(shù) 與 設(shè) 備 的 發(fā) 展 歷 程, 比 分 析 了 廣 泛應(yīng)用的轉(zhuǎn)臺(tái)式磨削、硅片旋轉(zhuǎn)磨削和雙面磨削等硅片磨削技術(shù)的原理及代表性設(shè)備的特點(diǎn),討論了用于單晶硅片平整化加工和背面減薄加工的低損傷磨削技術(shù)的進(jìn)展,并對(duì) 單 晶 硅 片 磨 削 技 術(shù) 的 發(fā) 展 趨勢(shì)進(jìn)行了展望。 關(guān)鍵詞:單晶硅片;超精密磨削;磨削設(shè)備;低損傷磨削;平整化;背面減薄 3 X 2 1 )8 1 6 9 中圖分類號(hào): N 0 1暋暋暋 文章編號(hào):0 4—1 2 (0 0 1 —2 5 —0 T 3 5. 10 l - rc inGidn eh ooy n rn e fS io aes r s l Uta pei o rnigTc nlg a dGidro ic。

大尺寸硅片背面磨削技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展_加工。摘要：集成電路芯片不斷向高密度、高性能和輕薄短小方向發(fā)展，發(fā)滿足IC封裝要求，圖形硅片的背面減薄成為半導(dǎo)體后半制程中的重要工序。隨著大直徑硅片的應(yīng)用，硅片的厚度相應(yīng)增大，而先進(jìn)的封裝技術(shù)則要求更薄的芯片，超精密磨削作為硅片背面減薄主要工藝得到廣泛應(yīng)用。本文分析了幾種常用的硅片背面減薄技術(shù)，論述了的基于自旋轉(zhuǎn)磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工藝特點(diǎn)和關(guān)鍵技術(shù)，介紹了硅片背面磨削技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)和取得的新進(jìn)展。1 引言為了增大IC芯片產(chǎn)量，降低單元制造成本，要求IC的基礎(chǔ)材料硅片趨向大直徑化。現(xiàn)在200mm硅片是主流產(chǎn)品，正在向300mm硅片發(fā)展，全世界已經(jīng)陸續(xù)建立了十幾條300mm硅片生產(chǎn)線，到2013年，預(yù)計(jì)將采用直徑450mm(18英寸)硅片。隨著硅片直徑增大，為了保證硅片在電路制作過(guò)程中具。

硅磨削 加工設(shè)備 - 機(jī)械制沙設(shè)備 價(jià)格。桿部是氣門的重要部位。在內(nèi)燃機(jī)中它與氣門導(dǎo)管形成一對(duì)摩擦付。在得不到良好的潤(rùn)滑條件下，承受著每分鐘數(shù)千次的反復(fù)摩擦，其工作狀況極其惡劣。根據(jù)氣門桿部的工作特點(diǎn)，設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)其精度表面質(zhì)量都提出了較高要求。除氣門桿直徑的尺寸精度外，國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定氣門桿的圓度直線度及圓柱度小于，表面粗糙度不低于，有些高速,大負(fù)荷內(nèi)燃機(jī)桿部圓度要求在表面粗糙度不低于。例如桑塔納汽車發(fā)動(dòng)機(jī)氣門，摩托車氣門等。另外，氣門桿又是氣門機(jī)械加工中經(jīng)常作為裝夾，定位徑向基準(zhǔn)的表面，它的精度狀態(tài)直接影響到其他部位的加工精度。例如加工盤部外圓,端面,錐面以及桿端的鎖槽,桿端面均需用氣門桿作徑向基準(zhǔn)。因此必須認(rèn)真考慮氣門桿部的機(jī)械加工。一氣門桿部加工方法及特點(diǎn)對(duì)氣門桿的加工，一般都是在無(wú)心磨床上通過(guò)幾次磨削來(lái)完成。無(wú)心磨床磨削與外圓磨。

（機(jī)械制造及其自動(dòng)化專業(yè)論文）單晶硅片超精密磨削加工表面層損傷的研究 。單晶硅片是集成電路（ＩＣ）制造過(guò)程中常用的襯底材料，硅片的表面層質(zhì)量直接影響著器件的性能、成品率以及壽命。隨著硅片尺寸的增大，新的硅片高效超精密平整化加工工藝得到了大量的研究，其中，具有高效率、高精度、低損傷等優(yōu)點(diǎn)的硅片自旋轉(zhuǎn)磨削技術(shù)正逐步成為拋光硅片和圖形硅片背面減薄的主流加工技術(shù)。然而，磨削加工會(huì)不可避免地給硅片帶來(lái)表面層損傷，該損傷會(huì)影響后續(xù)拋光工序的拋光時(shí)間和硅片的加工效率。目前，對(duì)硅片磨削表面層損傷機(jī)理的研究還不完善，深入研究硅片磨削表面層損傷機(jī)理對(duì)終實(shí)現(xiàn)硅片的高效率、高精度、無(wú)損傷、超光滑表面的加工有著重要的指導(dǎo)意義。本文在深入分析硅片加工表面層損傷的研究現(xiàn)狀及存在問(wèn)題的基礎(chǔ)上，對(duì)硅片自旋轉(zhuǎn)磨削加工表面層損傷進(jìn)行了研究。論文的主要研究工作有：（１）結(jié)合硅片加工表面層損傷形式，。